产品技术

首页 >> 产品技术 >>IPD无源集成器件 >> 硅基MIS芯片电容
详细内容

硅基MIS芯片电容

一、特点

  1. 工作温度宽、温度特性低

  2. 低损耗、高Q值

  3. 绝缘电阻大、漏电流小

二、应用

可以广泛应用于高至Ku波段、低损耗、高可靠、高温度稳定为主要考虑因素的混合微波电路

三、性能对比

相比较的性能

MIS电容(22pF)

陶瓷电容(20pF)

工作温度范围

-65℃~+150℃

-65℃~+125℃

温度系数

50PPM

1000PPM

电容插损(15GHz 50Ω带线)

0.06dB

0.2dB

芯片尺寸

18×18mils

50×50mils


四、产品外形尺寸  

1.png                                                     

                                                 单位为:μm

产品型号

尺寸代号:A、B

尺寸A

尺寸B

公差值

CS100VXXXXM4646C

460

460

30

CS100VXXXXM7676C

760

760

30

CS100VXXXXM3030C

300

300

30

CS100VXXXXM15075C

1500

750

30



 

五、产品最大额定值(TA=25℃)

额定电压VN(V)

贮存温度Tstg(℃)

工作温度Top(℃)

100

-55~+175

-55~+150


六、产品主要电特性(TA=25℃)

型号

电容量C

额定电压VN

绝缘电阻R

漏电流IR

封装类型

变化量±20%pF

最大值V

最小值MΩ

最大值nA

测试条件

f=1MHz VT=1V

--

VT=100V

VT=100V

--

CS100V0108M3030C

1.8

100

2000

50

芯片

CS100V0206M3030C

2.6

100

2000

50

芯片

CS100V0308M3030C

3.8

100

2000

50

芯片

CS100V0506M3030C

5.6

100

2000

50

芯片

CS100V0608M3030C

6.8

100

2000

50

芯片

CS100V1000M3030C

10

100

2000

50

芯片

CS100V0802M4646C

8.2

100

2000

50

芯片

CS100V1000M4646C

10

100

2000

50

芯片

CS100V1500M4646C

15

100

2000

50

芯片

CS100V2200M4646C

22

100

2000

50

芯片

CS100V3300M4646C

33

100

2000

50

芯片

CS100V4700M4646C

47

100

2000

50

芯片

CS100V6800M4646C

68

100

2000

50

芯片

CS50V1010M4646C

100

50

1000

50

芯片

CS100V1010M7676C

100

100

2000

50

芯片

CS50V6800M150075C

68

350

2000

50

芯片

 



电话:+86 028 65494612
地址:四川省成都市郫都区天欣路13号(一带一校培育基地)

Copyright @ 2021 成都永盈彩票用户登录科技有限公司  All rights reserved


蜀ICP备18544907号

产品系列

网站导航

扫描关注公众号

技术支持: 聚成网络科技 | 管理登录
seo seo
永盈彩票用户登录